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Product laser

产品中心
晶圆激光隐切设备
产品简介
该设备可通过精密控制及激光内部改质技术，使得晶圆切割后裂片扩膜成单颗小芯片，以便实现后续的晶圆封测。
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产品特点

兼容性好，可同时切割4~12寸及不同厚度的晶圆

支持蓝宝石、硅、碳化硅、钽酸锂等衬底材质

良好的定位精度及重复定位精度

切割质量高，直线度好，无崩边、裂痕

切割区域影响小，切割道≤20µm

应用领域
半导体芯片封装
技术指标
设备型号 DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
设备尺寸 1,750mm(W) x 2,250mm(D) x 2,250mm(H)
适用晶圆尺寸 6寸及以下 8寸、12寸
适用晶圆厚度 60µm to 400µm
平台精度 重复定位精度≤ ±1µm；定位精度<±3µm；
直线度 ≤ 5 µm
切割路径宽度 ≤ 20 µm
TTV ≤ 10 µm ≤ 15 µm
应用案例