激光硼掺杂技术

Laser boron doping technology

应用原理 / Principle

激光硼掺杂技术是在现有PERC电池技术基础上，通过沉积或印刷硼掺杂源，在激光背面开槽过程中，同步形成激光重掺杂区 P++层。其中激光掺杂形成的P++层，可以有效的降低背面接触复合速率，同时降低背面硅铝接触电阻，提升太阳电池开路电压Voc和填充因子FF，提升电池转换效率。

工艺简介

Process Introduction

激光硼掺杂技术是PERC电池技术未来升级的方向之一。采用CVD沉积或者印刷方式，在PERC蓝膜片背面形成一层硼掺杂源，通过激光开槽过程中的热效应，将硼元素同步掺杂进硅衬底中，形成P++层，即重掺杂区。一方面，重掺杂区形成P++P高低结，形成场钝化效应，另一方面，可有效降低铝硅接触电阻，从这两方面提升Voc 和FF，进而提高太阳电池转换效率。